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- 에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성
- 김홍기; 김성준; 강민재; 조명연; 오종민; 구상모; 이남석; 신훈규; National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH); National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH); National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH); Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH); National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH); (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22, 2018, pp.1230-1233)
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- 이종접합 Gate 구조를 갖는 수평형 NiO/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> FET의 전기적 특성 연구
- 이건희; 문수영; 이형진; 신명철; 김예진; 전가연; 오종민; 신원호; 김민경; 박철환; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 화학공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36, 2023, pp.413-417)
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- Plasma Etch Damage가 (100) SOI에 미치는 영향의 C-V 특성 분석
- 조영득; 김지홍; 조대형; 문병무; 조원주; 정홍배; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 고려대학교 전자공학과; 고려대학교 전자공학과; 고려대학교 전자공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21, 2008, pp.711-714)
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- 최근 터치스크린 Readout 시스템의 연구 경향
- Jun-Min Lee; Ju-Won Ham; Woo-Seok Jang; Ha-Min Lee; Sang-Mo Koo; Jong-Min Oh; Seung-Hoon Ko; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36, 2023, pp.423-432)
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- SHS 공정으로 제조된 Mo<sub>x</sub>W<sub>1-x</sub>Si<sub>2</sub> 발열체의 가속수명시험과 고장분석
- 이동원; 이상헌; 김용남; 이희수; 이성철; 구상모; 오종민; Material Technology Center, Korea Testing Laboratory; Material Technology Center, Korea Testing Laboratory; Material Technology Center, Korea Testing Laboratory; School of Materials Science and Engineering, Pusan National University; Production Development Headquarter, Winner Technology; Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.21, 2017, pp.252-255)
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- Sol-gel dip coating에 의한 ZnO 투명전도막의 특성고찰
- 김범석; 구상모; 김창열; 요업(세라믹)기술원; 요업(세라믹)기술원; 요업(세라믹)기술원; (한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집, v.2003, 2003, pp.191-191)
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107.
- 전반사형광현미경법과 타원체맞춤방법을 이용한 고체벽면 근처에서의 3차원 박테리아 경로 추적
- 구상모
- 서울대학교 대학원, 국내석사, xi, 79 장, 2007
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- SiC 기반 MPS 다이오드 P<sup>+</sup> 영역 최적화: BFOM 향상과 Snap-Back 현상 완화를 위한 연구
- 박승현; 이태희; 박세림; 윤주은; 이건희; 전지환; 오종민; 신원호; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.37, 2024, pp.675-679)
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109
- Programmable Metallization Cell 제작을 위한 Ag-doped Germanium Selenide의 고체전해질 특성
- 남기현; 구상모; 정홍배; 광운대학교; 광운대학교; 광운대학교; (한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, v.2008, 2008, pp.86-87)
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- 양자모델을 적용한 실리콘 나노선 트랜지스터의 채널 크기에 따른 전도 및 전하분포 특성 시뮬레이션
- 황민영; 최창용; 구상모; 광운대학교; 광운대학교; 광운대학교; (한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집, v.2009, 2009, pp.77-78)
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