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원자힘현미경을 이용한 탄화규소 미세 패터닝의 Scanning Kelvin Probe Microscopy 분석
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조영득;
방욱;
김상철;
김남균;
구상모;
광운대학교;
한국전기연구원;
한국전기연구원;
한국전기연구원;
광운대학교;
(한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집 Vol.22,
v.2009,
2009,
pp.32-32)
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142
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비정질 AsSeS 박막의 홀로그래픽 데이터 격자형성
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구용운;
이송희;
남기현;
구상모;
정홍배;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
(한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9,
v.2008,
2008,
pp.447-448)
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143
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Ge-Se-Te Chalcogenide 물질의 열적, 전기적 특성에 관한 연구
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남기현;
박형관;
김재훈;
구상모;
정홍배;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
(한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9,
v.2008,
2008,
pp.33-34)
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144
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P형 우물 영역에 따른 4H-SiC DMOSFETs의 스위칭 특성 분석
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강민석;
안정준;
성범식;
정지환;
구상모;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
(한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11,
v.2010,
2010,
pp.352-352)
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145
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두 번째 Ag 층을 적용한 Ag/<tex> $Ge_1Se_1Te_2$</tex> 물질의 광학적 특성 연구
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김현구;
한송이;
김재훈;
구상모;
정홍배;
광운대학교 전자정보공과대학 전자재료공학과;
광운대학교 전자정보공과대학 전자재료공학과;
광운대학교 전자정보공과대학 전자재료공학과;
광운대학교 전자정보공과대학 전자재료공학과;
광운대학교 전자정보공과대학 전자재료공학과;
(한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9,
v.2008,
2008,
pp.191-192)
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146
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MgO의 첨가량에 따른 <tex> $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$</tex>의 구조적, 유전적 특성
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유희욱;
안호명;
구상모;
남송민;
이영희;
고중혁;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
(한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7,
v.2006,
2006,
pp.296-297)
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147
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SOI MOSFET의 전기적 특성과 게이트 산화막 계면준위 밀도의 관계
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김관수;
구현모;
이우현;
조원주;
구상모;
정홍배;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
(한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19,
v.2006,
2006,
pp.81-82)
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148
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고상확산방법과 후속 열처리 공정을 이용한 Poly-Si TFT 소자특성 개선
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구현모;
이우현;
김관수;
조원주;
구상모;
정홍배;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
광운대학교 전자재료공학과;
(한국진공학회 2006년도 제31회 학술논문발표회 초록집,
v.2006,
2006,
pp.140-140)
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149
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포토닉 크리스탈을 이용한 도파관 제작
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이송희;
박형관;
한송이;
홍성준;
구상모;
정홍배;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
광운대학교;
(한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21,
v.2008,
2008,
pp.130-131)
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150
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800V급 4H-SiC DMOSFET 전력 소자 구조 최적화 시뮬레이션
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최창용;
강민석;
방욱;
김상철;
김남균;
구상모;
광운대학교;
광운대학교;
한국전기연구원;
한국전기연구원;
한국전기연구원;
광운대학교;
(한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집,
v.2009,
2009,
pp.35-36)