검색어 : 통합검색[구상모]
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- 에어로졸 증착 공정을 통해 제작한 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 코팅층의 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 입자 크기에 따른 성막 메커니즘 연구
- 김익수; 조명연; 구상모; 이동원; 오종민; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33, 2020, pp.219-224)
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- 새 도선 감는 방법을 적용한 전기장 이용 스케일 제거
- 손창현; 구상모; 김창수; 김건우; 경북대학교 기계공학부; 경북대학교 기계공학부; 경북대학교 기계공학부; ; (大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. B. B, v.26, 2002, pp.658-665)
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- P-Emitter의 길이, 구조가 Asymmetric SiC MOSFET 소자 성능에 미치는 영향
- 김동현; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33, 2020, pp.83-87)
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- 4H-SiC 기판의 a-, c-, m-면방향에 따른 ZnO 나노선의 Photoluminescence 특성 분석
- 김익주; 여인형; 문병무; 강민석; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 고려대학교 전기전자전파공학부; 고려대학교 전기전자전파공학부; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25, 2012, pp.349-352)
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- 4H-SiC VDMOSFETs의 JFET 영역의 도핑 농도 설계 및 최적화
- 이혜원; 김예진; 박창준; 최지수; 이건희; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.38, 2025, pp.101-106)
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- 다양한 직경의 속이 빈 탄소구체의 제조 및 리튬 저장 특성
- 신슬기; 조혁래; 정용재; 구상모; 오종민; 신원호; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36, 2023, pp.10-15)
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- 에어로졸 증착한 세라믹/금속 복합막의 금속 함량에 따른 습도 감지 특성 연구
- 김익수; 구상모; 박철환; 신원호; 이동원; 오종민; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 화학공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.34, 2021, pp.314-320)
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- p-Pillar 영역의 두께와 농도에 따른 4H-SiC 기반 Superjunction Accumulation MOSFET 소자 구조의 최적화
- 정영석; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.30, 2017, pp.345-348)
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- Current Spreading Layer를 도입한 4.5 kV 4H-SiC MOSFET의 설계 및 최적화
- 조영훈; 이형진; 이희재; 이건희; 구상모; Dept. of Electronic materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic materials Engineering, Kwangwoon University; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.26, 2022, pp.728-735)
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- 4H-SiC 기판 위에 RF Sputter로 증착된 NiO 박막의 후열처리 효과
- 문수영; 김민영; 변동욱; 이건희; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36, 2023, pp.170-174)
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