검색어 : 통합검색[구상모]
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1.
- “헬로우 에브리바디”작품론 : '닮은꼴 연예인'을 대상으로 한 현대성과 정체성
- 구상모
- 중앙대학교 예술대학원, 국내석사, i, 49 p., 2005
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- 실리콘 카바이드 웨이퍼 및 소자 기술
- 구상모; 광운대학교; (전기의 세계 = The proceedings of KIEE, v.59, 2010, pp.14-17)
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3
- 개정 하도급법 해설
- 구상모; 공정거래위원회 하도급기획과; (경쟁저널 = Journal of competition, v.102, 2004, pp.46-49)
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4
- 탄화규소 (SiC) 기반 파워 소자 동향 및 응용
- 박성준; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.30, 2017, pp.19-28)
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5
- Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성
- 이태섭; 구상모; Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; Dept. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.18, 2014, pp.620-624)
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6
- 4H-SiC기판 위의 자기구조화된 Ag/Ti 나노입자 제어를 위한 열처리 분석
- 김소망; 구상모; 오종민; 광운대학교; 광운대학교; 광운대학교; (전기전자학회논문지, v.20, 2016, pp.177-180)
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7
- International Conference On Silicon Carbide And Related Materials 2009(ICSCRM2009)
- 강민석; 구상모; ; (전기의 세계 = The proceedings of KIEE, v.58, 2009, pp.45-46)
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8
- 탄소나노튜브를 첨가한 4H-SiC MOS 캐패시터의 전기적 특성
- 이태섭; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27, 2014, pp.547-550)
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9
- 중성자 조사된 SiC Schottky Diode의 온도 의존 특성
- 김성수; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27, 2014, pp.618-622)
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10
- 후열 처리에 따른 Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/4H-SiC 이종접합 다이오드 특성 분석
- 이영재; 구상모; 광운대학교 전자재료공학과; 광운대학교 전자재료공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33, 2020, pp.155-160)
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